是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIMM |
包装说明: | , | 针数: | 30 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 100 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码: | R-XSMA-T30 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 33554432 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 30 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 1024 | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | MOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
THM84000L-80 | TOSHIBA |
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4,194,304 WORDSx8 BIT DYNAMIC RAM MODULE | |
THM84000S | TOSHIBA |
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4,194,304 WORDSx8 BIT DYNAMIC RAM MODULE | |
THM84000S-10 | TOSHIBA |
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4,194,304 WORDSx8 BIT DYNAMIC RAM MODULE | |
THM84000S-80 | TOSHIBA |
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4,194,304 WORDSx8 BIT DYNAMIC RAM MODULE | |
THM84020AL-60 | TOSHIBA |
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IC 4M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60 ns, Dynamic RAM | |
THM84020AL-70 | TOSHIBA |
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IC 4M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70 ns, Dynamic RAM | |
THM84020CL-50 | TOSHIBA |
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IC 4M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 50 ns, Dynamic RAM | |
THM88020ATS-60 | TOSHIBA |
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IC 8M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60 ns, PDSO30, TSOP-30, Dynamic RAM | |
THM88020ATS-70 | TOSHIBA |
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IC 8M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70 ns, PDSO30, TSOP-30, Dynamic RAM | |
THM88020ATS-80 | TOSHIBA |
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IC 8M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80 ns, PDSO30, TSOP-30, Dynamic RAM |