5秒后页面跳转
THM84000L-10 PDF预览

THM84000L-10

更新时间: 2024-11-10 22:06:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 448K
描述
4,194,304 WORDSx8 BIT DYNAMIC RAM MODULE

THM84000L-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:,针数:30
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:100 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-XSMA-T30JESD-609代码:e0
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:30
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

THM84000L-10 数据手册

 浏览型号THM84000L-10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号THM84000L-10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号THM84000L-10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号THM84000L-10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号THM84000L-10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号THM84000L-10的Datasheet PDF文件第7页 

与THM84000L-10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
THM84000L-80 TOSHIBA

获取价格

4,194,304 WORDSx8 BIT DYNAMIC RAM MODULE
THM84000S TOSHIBA

获取价格

4,194,304 WORDSx8 BIT DYNAMIC RAM MODULE
THM84000S-10 TOSHIBA

获取价格

4,194,304 WORDSx8 BIT DYNAMIC RAM MODULE
THM84000S-80 TOSHIBA

获取价格

4,194,304 WORDSx8 BIT DYNAMIC RAM MODULE
THM84020AL-60 TOSHIBA

获取价格

IC 4M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60 ns, Dynamic RAM
THM84020AL-70 TOSHIBA

获取价格

IC 4M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70 ns, Dynamic RAM
THM84020CL-50 TOSHIBA

获取价格

IC 4M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 50 ns, Dynamic RAM
THM88020ATS-60 TOSHIBA

获取价格

IC 8M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 60 ns, PDSO30, TSOP-30, Dynamic RAM
THM88020ATS-70 TOSHIBA

获取价格

IC 8M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 70 ns, PDSO30, TSOP-30, Dynamic RAM
THM88020ATS-80 TOSHIBA

获取价格

IC 8M X 8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 80 ns, PDSO30, TSOP-30, Dynamic RAM