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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> TGI1314-50L
TGI1314-50L PDF预览

TGI1314-50L

更新时间： 2024-09-18 12:35:51
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东芝 - TOSHIBA 晶体射频场效应晶体管微波局域网
页数 文件大小 规格书
2页 118K
描述
MICROWAVE POWER GaN HEMT

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TGI1314-50L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：KU BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：140 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET RF Small Signals
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管元件材料：GALLIUM NITRIDE
Base Number Matches：1

TGI1314-50L 数据手册

 浏览型号TGI1314-50L的Datasheet PDF文件第2页 
MICROWAVE POWER GaN HEMT  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TGI1314-50L  
TECHNICAL DATA  
FEATURES  
„ HIGH POWER  
„ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT  
Pout=47.0dBm at Pin=42.0dBm  
HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
„ HIGH GAIN  
„ LOW INTERMODULATION DISTORTION  
GL=8.0dB at 13.75GHz to 14.5GHz  
IM3(Min.)=−25dBc at Po=40.0dBm  
Single Carrier Level  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Output Power  
SYMBOL  
Pout  
ΔG  
CONDITIONS  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
dBm 46.0 47.0  
－
±0.8  
6.0  
－
VDS = 24V  
IDSset≅2.0A  
Gain Flatness  
dB  
A
－
－
－
5.0  
29  
－
Drain Current  
IDS1  
ηadd  
IgRF  
f = 13.75 to 14.5GHz  
@ Pin=42dBm  
Power Added Efficiency  
Gate Current  
%
－
mA  
dB  
dBc  
-40  
7.0  
-25  
+100  
－
Linear Gain  
GL  
8.0  
－
@Pin=20dBm  
－
3rd Order Intermodulation  
IM3  
Two-Tone Test  
Po= 40.0dBm  
Distortion  
(Single Carrier Level)  
Drain Current  
IDS2  
A
－
－
5.0  
6.0  
(VDS X IDS + Pin – Pout) X Rth(c-c)  
C
°
Channel Temperature Rise  
ΔTch  
130  
150  
Recommended gate resistance(Rg) : Rg= 13.3 Ω (TYP.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Transconductance  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VDS= 5V  
IDS= 5.0A  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
gm  
S
4.5  
⎯
⎯
Pinch-off Voltage  
VGSoff VDS= 5V  
IDS= 23mA  
V
-1  
-4  
-6  
Saturated Drain Current  
IDSS  
VDS= 5V  
VGS= 0V  
A
15  
⎯
⎯
⎯
-10  
⎯
⎯
⎯
1.6  
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO IGS= -10mA  
V
C/W  
Thermal Resistance  
Rth(c-c) Channel to Case  
°
‹The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is assumed by  
TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use, No license is granted by  
implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others. The information contained herein is subject to change  
without prior notice. It is therefore advisable to contact TOSHIBA before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Rev. December 9, 2011  
12

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