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TGI7785-50L PDF预览

TGI7785-50L

更新时间： 2024-09-18 21:18:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 199K
描述
TRANSISTOR RF POWER, FET, FET RF Power

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TGI7785-50L 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：24 weeks
风险等级：5.76外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (ID)：15 AFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：X BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM NITRIDE
Base Number Matches：1

TGI7785-50L 数据手册

 浏览型号TGI7785-50L的Datasheet PDF文件第2页 
MICROWAVE POWER GaN HEMT  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TGI7785-50L  
TECHNICAL DATA  
FEATURES  
„ HIGH POWER  
Pout=47.0dBm at Pin=40.0dBm  
„ HIGH GAIN  
„ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT  
HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
„ LOW INTERMODULATION DISTORTION  
IM3(Min.)=−40dBc at Po=32.0dBm  
Single Carrier Level  
GL=11.0dB at 7.7GHz to 8.5GHz  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Output Power  
SYMBOL  
Pout  
CONDITIONS  
VDS= 24V  
IDSset≅3.0A  
f = 7.7 to 8.5GHz  
@Pin = 40dBm  
@Pin = 20dBm  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
dBm 46.0 47.0  
－
6.0  
－
Drain Current  
IDS1  
A
－
－
5.0  
33  
Power Added Efficiency  
ηadd  
%
Linear Gain  
GL  
dB  
dB  
10.0 11.0  
－
Gain flatness  
ΔG  
－
－
±
0.8  
dBc  
-40  
－
－
3rd Order Intermodulation  
IM3  
Two-Tone Test  
Po= 32.0dBm  
Distortion  
(Single Carrier Level)  
Drain Current  
IDS2  
A
－
－
3.5  
4.5  
(VDS X IDS1 + Pin – Pout)X Rth(c-c)  
C
°
Channel Temperature Rise  
ΔTch  
130  
150  
Recommended gate resistance(Rg) : Rg= 13.3 Ω(TYP.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Transconductance  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VDS= 5V  
IDS= 5.0A  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
gm  
S
4.5  
⎯
⎯
Pinch-off Voltage  
VGSoff VDS= 5V  
IDS= 23mA  
V
-1  
-4  
-6  
Saturated Drain Current  
IDSS  
VDS= 5V  
VGS= 0V  
A
15  
⎯
⎯
⎯
-10  
⎯
⎯
⎯
1.6  
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO IGS= -10mA  
V
C/W  
Thermal Resistance  
Rth(c-c) Channel to Case  
°
‹The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others. The information  
contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA before proceeding  
with design of equipment incorporating this product.  
November, 2011  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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