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TC7WH00FC(TE85L)

更新时间： 2024-11-16 14:28:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅输入元件光电二极管逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
6页 172K
描述
IC,LOGIC GATE,DUAL 2-INPUT NAND,CMOS,LLCC,8PIN,PLASTIC

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TC7WH00FC(TE85L) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SON, SOLCC8,.05,16
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
JESD-30 代码：R-PDSO-N8负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：NAND GATE最大I（ol）：0.004 A
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SON封装等效代码：SOLCC8,.05,16
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
包装方法：TAPE AND REEL电源：2/5.5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：13 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO子类别：Gates
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：0.4 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

TC7WH00FC(TE85L) 数据手册

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TC7WH00FC  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7WH00FC  
Dual 2-Input NAND Gate  
TC7WH00FC  
Features  
•
High speed operation  
: tpd = 3.7ns (typ.)  
at VCC = 5 V, C = 15pF  
L
•
•
•
•
Low power dissipation  
High noise immunity  
Operating voltage range  
5.5-V tolerant inputs  
: ICC = 2μA (max) at Ta = 25°C  
: V  
= V  
= 28% VCC (min)  
NIH  
NIL  
: VCC = 2 to 5.5 V  
(CST8)  
Weight: 0.002 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Marking  
Characteristics  
Supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
Product name  
V
−0.5 to 7.0  
−0.5 to 7.0  
V
CC  
DC input voltage  
V
V
IN  
H00  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
−0.5 to V  
+ 0.5 (Note1)  
V
OUT  
CC  
I
−20  
mA  
(Note2) mA  
mA  
IK  
I
±20  
±25  
OK  
I
OUT  
DC V /GND current  
CC  
I
±50  
mA  
CC  
Pin Assignment (top view)  
Power dissipation  
P
150  
(Note3) mW  
°C  
D
VCC 1Y  
2B  
2A  
Storage temperature  
T
−65 to 150  
stg  
8
7
6
5
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change  
in temperature, etc.) may cause this product to decrease in  
the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure  
rate, etc).  
1
2
3
4
Note 1:High or Low State.  
1A  
1B  
2Y GND  
I
OUT absolute maximum rating must be observed.  
Note 2:V < GND, V > V  
OUT  
OUT  
CC  
Note 3:Mounted on an FR4 board.  
(25.4 mm×25.4 mm×1.6t, Cu Pad: 11.56 mm2)  
1
2009-09-24  
123456

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