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TC7WH04FKTE85L

更新时间： 2024-09-28 21:13:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅输入元件光电二极管逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
7页 174K
描述
IC HC/UH SERIES, TRIPLE 1-INPUT INVERT GATE, PDSO8, SSOP-8, Gate

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TC7WH04FKTE85L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：VSSOP, TSSOP8,.12,20
针数：8Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.5
系列：HC/UHJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0长度：2.3 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：INVERTER
最大I（ol）：0.004 A功能数量：3
输入次数：1端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.12,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TAPE AND REEL
电源：2/5.5 VProp。Delay @ Nom-Sup：12 ns
传播延迟（tpd）：12 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：0.9 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
宽度：2 mmBase Number Matches：1

TC7WH04FKTE85L 数据手册

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TC7WH04FU/FK  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7WH04FU, TC7WH04FK  
Triple Inverter  
Features  
TC7WH04FU  
•
•
•
•
•
•
High speed: t = 3.8ns (typ.) at V  
= 5V, C = 15pF  
pd  
CC L  
Low power dissipation: I  
= 2μA (max) at Ta = 25°C  
CC  
High noise immunity: V  
5.5-V Tolerant inputs.  
= V  
= 28% V  
(min)  
NIH  
NIL  
CC  
Wide operating voltage range: V  
= 2 to 5.5V  
CC  
Identical pin assignment and function with TC7W04  
(SM8)  
TC7WH04FK  
Marking  
SM8  
US8  
Product Name  
Lot No.  
H 0 4  
W H  
0 4  
(US8)  
Weight  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
SSOP8-P-0.65: 0.02 g (typ.)  
SSOP8-P-0.50A: 0.01 g (typ.)  
Characteristics  
Supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−0.5 to 7.0  
−0.5 to 7.0  
V
CC  
Pin Assignment (top view)  
DC input voltage  
V
V
IN  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
−0.5 to V  
+ 0.5  
V
OUT  
CC  
I
−20  
mA  
mA  
mA  
mA  
IK  
1A  
3Y  
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC  
I
±20 (Note1)  
OK  
1Y  
3A  
Y2  
I
±25  
±50  
OUT  
2A  
DC V /ground current  
CC  
I
CC  
GND  
300 (SM8)  
Power dissipation  
P
mW  
D
200 (US8)  
−65 to 150  
260  
Storage temperature  
T
°C  
°C  
stg  
Lead temperature (10 s)  
T
L
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Note 1: VOUT < GND, VOUT > VCC  
Start of commercial production  
1997-07  
1
2014-03-01  
1234567

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