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TC7WH125FK(TE85L,F)

更新时间： 2024-11-16 15:54:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 驱动光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 134K
描述
IC BUS BUFFER DUAL NON-INV US8

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TC7WH125FK(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP8,.12,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.64控制类型：ENABLE LOW
JESD-30 代码：R-PDSO-G8负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER最大I（ol）：0.004 A
位数：2功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：3-STATE
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.12,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL电源：2/5.5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：13 ns认证状态：Not Qualified
子类别：Bus Driver/Transceivers表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

TC7WH125FK(TE85L,F) 数据手册

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TC7WH125FU/FK  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7WH125FU, TC7WH125FK  
Dual Bus Buffer with 3-STATE Output  
Features  
TC7WH125FU  
High speed t = 3.8 ns (typ.) at V  
= 5.0 V, C =15pF  
L
pd  
CC  
Low power dissipation: ICC=2μA (max.) at Ta = 25°C  
High noise immunity : V  
5.5-V tolerant inputs  
= V  
= 28%Vcc (min.)  
NIH  
NIL  
Wide operating voltage range: V  
= 2.0 to 5.5 V  
CC  
Low Noise : V  
= 0.8V(max.)  
OLP  
(SM8)  
TC7WH125FK  
Marking  
SM8  
US8  
Product name  
Lot. No  
H 125  
WH  
125  
(US8)  
Weight  
SSOP8-P-0.65 : 0.02 g (typ.)  
SSOP8-P-0.50A : 0.01 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Pin Assignment (top view)  
Characteristics  
Supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−0.5 to 7.0  
−0.5 to 7.0  
V
V
V
CC  
G1  
A1  
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC  
DC input voltage  
DC output voltage  
V
IN  
V
0.5 to Vcc + 0.5  
OUT  
G2  
Y1  
A2  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
I
−20  
mA  
mA  
mA  
mA  
IK  
Y2  
I
±20(Note 1)  
OK  
I
±25  
±50  
OUT  
GND  
DC V  
/ GND current  
I
CC  
CC  
300 (SM8)  
200 (US8)  
Power dissipation  
P
mW  
D
Storage temperature  
T
−65 to 150  
°C  
°C  
stg  
Lead temperature (10s)  
T
260  
L
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Note 1: V  
< GND,V  
>V  
OUT CC  
OUT  
1
2013-05-27  
1234567

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