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TC7WH126FUTE12L

更新时间： 2024-09-28 20:49:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 驱动光电二极管输出元件逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 178K
描述
IC HC/UH SERIES, DUAL 1-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, PDSO8, SSOP-8, Bus Driver/Transceiver

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TC7WH126FUTE12L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：LSSOP, TSSOP8,.16
针数：8Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.35
控制类型：ENABLE HIGH系列：HC/UH
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
长度：2.9 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER最大I（ol）：0.004 A
位数：1功能数量：2
端口数量：2端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.16封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TAPE AND REEL
电源：2/5.5 VProp。Delay @ Nom-Sup：13 ns
传播延迟（tpd）：13 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.3 mm子类别：Bus Driver/Transceivers
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
宽度：2.8 mmBase Number Matches：1

TC7WH126FUTE12L 数据手册

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TC7WH126FU/FK  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7WH126FU, TC7WH126FK  
Bus Buffer with 3-state Output  
TC7WH126FU  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
High speed: t = 3.8 ns (typ.) at V  
= 5.0 V, C = 15 pF  
pd  
CC L  
Low power dissipation: I  
= 2 μA (max) at Ta = 25°C  
CC  
High noise immunity: V  
5.5 V tolerant inputs  
= V  
= 28% V  
(min)  
NIH  
NIL  
CC  
Balanced propagation delays : t  
≈ t  
pHL  
pLH  
Wide operating voltage range: V  
= 2.0 to 5.5 V  
CC  
(SM8)  
Low Noise : V  
= 0.8V (max)  
OLP  
TC7WH126FK  
Marking  
SM8  
US8  
Product name  
Lot. No  
H 126  
(US8)  
WH  
126  
Weight  
SSOP8-P-0.65 : 0.02 g (typ.)  
SSOP8-P-0.50A : 0.01 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
Pin Assignment (top view)  
V
−0.5 to 7.0  
−0.5 to 7.0  
V
CC  
DC input voltage  
V
V
IN  
G1  
A1  
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
−0.5 to V  
+ 0.5  
V
OUT  
CC  
I
−20  
mA  
mA  
mA  
mA  
G2  
Y1  
A2  
IK  
I
±20 (Note1)  
±25  
OK  
Y2  
I
OUT  
GND  
DC V /ground current  
CC  
I
±50  
CC  
300(SM8)  
Power dissipation  
P
mW  
D
200(US8)  
−65 to 150  
260  
Storage temperature  
T
stg  
°C  
°C  
Lead temperature (10 s)  
T
L
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1:VOUT < GND, VOUT > VCC  
Start of commercial production  
1997-02  
1
2014-03-01  
1234567

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