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TC7WH240FKTE85L

更新时间： 2024-09-28 15:54:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅驱动光电二极管输出元件逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
7页 179K
描述
IC LV/LV-A/LVX/H SERIES, DUAL 1-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, PDSO8, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, SSOP-8, Bus Driver/Transceiver

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TC7WH240FKTE85L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Lifetime Buy
零件包装代码：SOIC包装说明：VSSOP, TSSOP8,.12,20
针数：8Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.63
系列：LV/LV-A/LVX/HJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0长度：2.3 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：BUS DRIVER
最大I（ol）：0.004 A位数：1
功能数量：2端口数量：2
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：3-STATE
输出极性：INVERTED封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VSSOP封装等效代码：TSSOP8,.12,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL电源：2/5.5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：12.5 ns传播延迟（tpd）：12.5 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：0.9 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
宽度：2 mmBase Number Matches：1

TC7WH240FKTE85L 数据手册

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TC7WH240FU/FK  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7WH240FU, TC7WH240FK  
Dual Bus Buffer Inverted, 3-State Outputs  
Features  
TC7WH240FU  
•
•
•
•
•
•
•
High speed: t = 3.6ns (typ.) at V  
= 5V, C = 15pF  
pd  
CC L  
Low power dissipation: I  
= 2 μA (max) at Ta = 25°C  
CC  
High noise immunity: V  
5.5V Tolerant inputs.  
= V  
= 28% V  
(min)  
NIH  
NIL  
CC  
Balanced propagation delays: t  
≈ t  
pHL  
pLH  
Wide operating voltage range: V  
= 2 to 5.5 V  
CC  
Low Noise : V  
= 0.8 V (max)  
OLP  
TC7WH240FK  
(SM8)  
Marking  
SM8  
US8  
Product Name  
Lot No.  
H 2 4 0  
W H  
240  
(US8)  
Weight  
SSOP8-P-0.65: 0.02 g (typ.)  
SSOP8-P-0.50A: 0.01 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Pin Assignment (top view)  
Characteristics  
Supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−0.5 to 7.0  
−0.5 to 7.0  
V
CC  
G2  
7
Y1  
6
A2  
V
CC  
8
DC input voltage  
V
V
IN  
5
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
−0.5 to V  
+ 0.5  
V
OUT  
CC  
I
−20  
mA  
mA  
mA  
mA  
IK  
I
±20 (Note 1)  
±25  
OK  
I
OUT  
DC V /ground current  
CC  
I
±50  
CC  
300 (SM8)  
200 (US8)  
−65 to 150  
260  
Power dissipation  
P
mW  
D
1
3
4
2
G1  
Y2  
GND  
A1  
Storage temperature  
T
stg  
°C  
°C  
Lead temperature (10 s)  
T
L
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: VOUT < GND, VOUT > VCC  
Start of commercial production  
1997-01  
1
2014-03-01  
1234567

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