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TC7WH14FUTE12L PDF预览

TC7WH14FUTE12L

更新时间： 2024-11-16 15:54:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅输入元件光电二极管逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
7页 203K
描述
IC LV/LV-A/LVX/H SERIES, TRIPLE 1-INPUT INVERT GATE, PDSO8, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, SSOP-8, Gate

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TC7WH14FUTE12L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：LSSOP, TSSOP8,.16
针数：8Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.53
系列：LV/LV-A/LVX/HJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0长度：2.9 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：INVERTER
最大I（ol）：0.004 A功能数量：3
输入次数：1端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.16封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TAPE AND REEL
电源：2/5.5 VProp。Delay @ Nom-Sup：18.5 ns
传播延迟（tpd）：18.5 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：YES座面最大高度：1.3 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL宽度：2.8 mm
Base Number Matches：1

TC7WH14FUTE12L 数据手册

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TC7WH14FU/FK  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7WH14FU, TC7WH14FK  
Triple Schmitt Inverter  
Features  
TC7WH14FU  
•
High speed operation  
: tpd = 5.5ns (typ.)  
at VCC = 5V, C = 15pF  
L
•
•
•
•
•
•
Low power dissipation  
High noise immunity  
Operating voltage range  
: ICC = 2μA (max) at Ta = 25°C  
: V  
= V  
= 28% VCC (min)  
NIH  
NIL  
: VCC = 2 to 5.5V  
Balanced propagation delays : tpLH ≒ tpHL  
5.5-V tolerant inputs  
(SM8)  
Identical pin assignment and function with TC7W14  
TC7WH14FK  
Marking  
SM8  
H 14  
US8  
Product Name  
Lot No.  
WH  
14  
(US8)  
Weight  
SSOP8-P-0.65: 0.02 g (typ.)  
SSOP8-P-0.50A: 0.01 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−0.5 to 7.0  
−0.5 to 7.0  
V
V
CC  
DC input voltage  
V
IN  
Pin Assignment (top view)  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
−0.5 to V +0.5  
V
OUT  
CC  
I
−20  
mA  
IK  
1A  
1
8
V
CC  
I
±20  
±25  
±50  
(Note 1) mA  
OK  
3Y  
2
3
4
7
6
5
1Y  
3A  
2Y  
I
mA  
mA  
OUT  
DC V /GND current  
CC  
I
2A  
CC  
300 (SM8)  
200 (US8)  
GND  
Power dissipation  
P
mW  
D
Storage temperature  
T
−65 to 150  
°C  
°C  
stg  
Lead Temperature (10s)  
T
260  
L
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Note 1: V  
< GND, V > V  
OUT CC  
OUT  
Start of commercial production  
1999-02  
1
2014-03-01  
1234567

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