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TC7WH00FKTE85L

更新时间： 2024-11-16 21:07:07

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东芝 - TOSHIBA		栅输入元件光电二极管逻辑集成电路触发器
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7页	194K
描述
IC HC/UH SERIES, DUAL 2-INPUT NAND GATE, PDSO8, SSOP-8, Gate

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TC7WH00FKTE85L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	VSSOP, TSSOP8,.12,20
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.36
系列：	HC/UH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	长度：	2.3 mm
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	NAND GATE
最大I（ol）：	0.004 A	功能数量：	2
输入次数：	2	端子数量：	8
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.12,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH	包装方法：	TAPE AND REEL
电源：	2/5.5 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	13 ns
传播延迟（tpd）：	13 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	0.9 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	2 mm	Base Number Matches：	1

TC7WH00FKTE85L 数据手册

TC7WH00FU/FK

TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic

TC7WH00FU, TC7WH00FK

Dual 2-Input NAND Gate

TC7WH00FU

Features

• High speed operation

: t_pd= 3.7ns (typ.)

at V_CC= 5 V, C = 15pF

•

Low power dissipation

High noise immunity

Operating voltage range

: I_CC= 2μA (max) at Ta = 25°C

: V

= V

= 28% V_CC(min)

NIH

NIL

: V_CC= 2 to 5.5 V

Balanced propagation delays : t_pLH≒ t_pHL

5.5-V Tolerant inputs

(SM8)

TC7WH00FK

Identical pin assignment and function with TC7W00

Marking

SM8

H 00

US8

Product Name

Lot No.

(US8)

Weight

SSOP8-P-0.65

SSOP8-P-0.50A

: 0.02 g (typ.)

: 0.01 g (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Supply voltage

Symbol

Rating

−0.5 to 7.0

−0.5 to VCC+0.5

−20

Unit

Pin Assignment (top view)

DC input voltage

DC output voltage

Input diode current

Output diode current

DC output current

OUT

±20

±25

±50

(Note 1) mA

OUT

GND

DC V /GND current

300 (SM8)

200 (US8)

Power dissipation

Storage temperature

−65 to 150

°C

stg

Lead Temperature (10s)

260

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if

the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings and the operating ranges.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

Note 1: V

< GND, V > V

OUT CC

OUT

Start of commercial production

1997-10

2014-03-01

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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