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TC7WG74FU PDF预览

TC7WG74FU

更新时间： 2024-11-16 04:28:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 触发器锁存器逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 198K
描述
CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic D-Type Flip Flop with Preset and Clear

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TC7WG74FU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Lifetime Buy
零件包装代码：SOIC包装说明：LSSOP, TSSOP8,.16
针数：8Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.61
Is Samacsys：N系列：LVP
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
长度：2.9 mm负载电容（CL）：30 pF
逻辑集成电路类型：D FLIP-FLOP最大频率@ Nom-Sup：11000000 Hz
最大I（ol）：0.003 A位数：1
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出极性：COMPLEMENTARY封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSSOP8,.16
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
电源：1.2/3.3 V传播延迟（tpd）：54.4 ns
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.3 mm
子类别：FF/Latches最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：0.9 V标称供电电压 (Vsup)：1.2 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL触发器类型：POSITIVE EDGE
宽度：2.8 mm最小 fmax：200 MHz
Base Number Matches：1

TC7WG74FU 数据手册

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TC7WG74FU/FK  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7WG74FU,TC7WG74FK  
D-Type Flip Flop with Preset and Clear  
Features  
•
•
High-speed  
: f  
= 246 MHz (Typ.)  
MAX  
TC7WG74FU  
at  
V
CC  
= 3 V, CL=15pF  
High-level output current: : I /I = ±8 mA (min)  
OH OL  
at  
V
CC  
= 3 V  
•
•
•
Operation voltage range : VCC(opr)=0.9~3.6V  
5.5-V tolerant inputs  
3.6-V power down protection outputs  
TC7WG74FK  
Marking  
SM8  
G 74  
US8  
Product name  
Lot No.  
WG  
74  
Weight  
SSOP8-P-0.65 : 0.02 g (typ.)  
SSOP8-P-0.50A : 0.01 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings  
Pin Assignment (top view)  
Characteristics  
Power supply voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CK  
D
CC  
V
−0.5~4.6  
−0.5~7.0  
V
V
CC  
D
CK  
DC input voltage  
V
IN  
PR  
−0.5~4.6 (Note 1)  
PR CLR  
DC output voltage  
V
V
OUT  
−0.5~V  
+ 0.5 (Note 2)  
CC  
Q
CLR  
Q
Q
Q
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
I
−20  
mA  
mA  
mA  
mA  
IK  
GND  
I
−20 (Note 3)  
±25  
OK  
I
OUT  
DC V  
/ ground current  
I
±100  
CC  
CC  
300 (SM8)  
200 (US8)  
Power dissipation  
P
mW  
°C  
D
Storage temperature  
T
stg  
−65~150  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Note 1:  
Note 2:  
Note 3:  
V
= 0V  
CC  
High or Low State. I  
absolute maximum rating must be observed.  
OUT  
V
OUT  
< GND  
1
2007-11-01  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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