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TC55V040FT-10

更新时间: 2024-11-07 19:23:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 324K
描述
IC 512K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO40, 10 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-40, Static RAM

TC55V040FT-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:TSOP1, TSSOP40,.56,20
针数:40Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G40
JESD-609代码:e0长度:12.4 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:40字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP40,.56,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.000005 A
最小待机电流:1.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.04 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:10 mm
Base Number Matches:1

TC55V040FT-10 数据手册

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