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TC55V1001AFI-85L

更新时间: 2024-09-17 22:05:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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13页 559K
描述
131,072-WORD BY 8-BIT CMOS STATIC RAM

TC55V1001AFI-85L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-32
针数:32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.89最长访问时间:85 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.6 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.8 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.7 mm
Base Number Matches:1

TC55V1001AFI-85L 数据手册

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