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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP32,.56 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.89 | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20.6 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP32,.56 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.8 mm | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.7 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC55V1001AF-85 | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072-WORD BY 8-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1001AF-85L | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072-WORD BY 8-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1001AFI | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072-WORD BY 8-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1001AFI-10 | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072-WORD BY 8-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1001AFI-10L | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072-WORD BY 8-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1001AFI-70 | TOSHIBA |
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IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-32, Stat |
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| TC55V1001AFI-70L | TOSHIBA |
获取价格 |
IC STANDARD SRAM, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-32, Static RAM |
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| TC55V1001AFI-85 | TOSHIBA |
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131,072-WORD BY 8-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1001AFI-85L | TOSHIBA |
获取价格 |
131,072-WORD BY 8-BIT CMOS STATIC RAM |
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| TC55V1001AFT-10 | TOSHIBA |
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131,072-WORD BY 8-BIT CMOS STATIC RAM |
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