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T1960N18TOF

更新时间： 2024-09-20 06:37:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	291K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4490A I(T)RMS, 2860000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element

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T1960N18TOF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	标称电路换相断开时间：	300 µs
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us
最大直流栅极触发电流：	300 mA	最大直流栅极触发电压：	2.5 V
最大维持电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-XXDB-X3
最大漏电流：	250 mA	通态非重复峰值电流：	40000 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	2860000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	4490 A	断态重复峰值电压：	1800 V
重复峰值反向电压：	1800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR

T1960N18TOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1960N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1600

1800

2000 V

2200 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

^V^reop^r^e^w^t^ä^it^r^iv^ts^e^-S^p^t^eoa^s^k^ss^fo^p^rⁱ^w^tz^a^e^rⁿ^d^sp^o^e^ff^r^-^r^s^s^ta^p^t^a^eⁿ^aⁿⁿ^u^d^ng^reE^verl^se^{e v}k^oltt^agr^ei^ssche^T_vj

= -

gen^{. T}_vs_{j ma}c_xhaften V_DSM

0°

C..

1600

1800

2000 V

2200 V

non-repetitive peak forward off-state voltage

1700

1900

2100 V

2300 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

4100 A

1960 A

2860 A

4490 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

T_C= 85 °C

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

I_TRMS

40000 A

35000 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

8000 10³ A²s

6125 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 1,6A,

di_G/dt = 1,6 A/µs

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,1 V

1,2 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 8 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2 kA

v_T

0,9 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,15 mΩ

500 A ≤ i_T≤ 9500 A

1,363E+00

5,600E-05

-1,358E-01

1,694E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

300 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

V_GT

I_GD

max.

2,5 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

V_GD

I_H

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

max. 1500 mA

i_GM= 1,6 A, di_G/dt = 1,6 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

250 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1,6 A,

di_G/dt = 1,6 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2009-03-12

prepared by:

revision:

2.0

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-03-12, H.Sandmann

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与T1960N18TOF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1960N18TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4490A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,
T1960N20TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4490A I(T)RMS, 2860000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1
T1960N20TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4490A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element,
T1960N22TOF VT	INFINEON	获取价格	T1960N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 100mm，高
T1960N22TOFVTHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
T1960N22TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4490A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,
T1971N	EUPEC	获取价格	Phase Control Thyristor
T1971N38TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3700A I(T)RMS, 3800V V(DRM), 3800V V(RRM), 1 Element
T1971N40TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1730000mA I(T), 4000V V(DRM)
T1971N42TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1730000mA I(T), 4200V V(DRM)

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