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T1960N20TOFVTXPSA1

更新时间： 2024-11-08 15:53:23

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
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描述
Silicon Controlled Rectifier, 4490A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element,

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T1960N20TOFVTXPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	300 mA
JESD-30 代码：	O-XXDB-X3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大均方根通态电流：	4490 A
断态重复峰值电压：	2000 V	重复峰值反向电压：	2000 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T1960N20TOFVTXPSA1 数据手册

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1960N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1600

1800

2000 V

2200 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

^V^reop^r^e^w^t^ä^it^r^iv^ts^e^-S^p^t^eoa^s^k^ss^fo^p^rⁱ^w^tz^a^e^rⁿ^d^sp^o^e^ff^r^-^r^s^s^ta^p^t^a^eⁿ^aⁿⁿ^u^d^ng^reE^verl^se^{e v}k^oltt^agr^ei^ssche^T_vj

= -

gen^{. T}_vs_{j ma}c_xhaften V_DSM

0°

C..

1600

1800

2000 V

2200 V

non-repetitive peak forward off-state voltage

1700

1900

2100 V

2300 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

4100 A

1960 A

2860 A

4490 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

T_C= 85 °C

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

I_TRMS

40000 A

35000 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

8000 10³ A²s

6125 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 1,6A,

di_G/dt = 1,6 A/µs

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,1 V

1,2 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 8 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2 kA

v_T

0,9 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,15 mΩ

500 A ≤ i_T≤ 9500 A

1,363E+00

5,600E-05

-1,358E-01

1,694E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

300 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

V_GT

I_GD

max.

2,5 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

V_GD

I_H

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

max. 1500 mA

i_GM= 1,6 A, di_G/dt = 1,6 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

250 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1,6 A,

di_G/dt = 1,6 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2009-03-12

prepared by:

revision:

2.0

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-03-12, H.Sandmann

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T1960N20TOFVTXPSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
T1960N22TOFVTXPSA1	INFINEON	类似代替	Silicon Controlled Rectifier, 4490A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,

与T1960N20TOFVTXPSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1960N22TOF VT	INFINEON	获取价格	T1960N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 100mm，高
T1960N22TOFVTHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
T1960N22TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4490A I(T)RMS, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element,
T1971N	EUPEC	获取价格	Phase Control Thyristor
T1971N38TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3700A I(T)RMS, 3800V V(DRM), 3800V V(RRM), 1 Element
T1971N40TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1730000mA I(T), 4000V V(DRM)
T1971N42TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1730000mA I(T), 4200V V(DRM)
T1971N44TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3700A I(T)RMS, 4400V V(DRM), 4400V V(RRM), 1 Element,
T197A106J025AS	VISHAY	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, NON SOLID, POLARIZED, 25V, 10uF, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
T197A106J050AS	VISHAY	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, NON SOLID, POLARIZED, 50V, 10uF, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED

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