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SVF6N80MJ

更新时间： 2024-04-09 19:02:53
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士兰微 - SILAN /
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TO-251J-3L

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士兰微电子  
SVF6N80D(K)说明书  
极限参数(除非特殊说明，TA=25C)  
参数值  
参数  
符号  
单位  
SVF6N80D/MJ  
SVF6N80K  
漏源电压  
栅源电压  
VDS  
VGS  
800  
±30  
6.0  
3.9  
24  
V
V
TC=25°C  
漏极电流  
ID  
A
TC=100°C  
漏极脉冲电流  
IDM  
PD  
A
W
132  
138  
1.1  
耗散功率（TC=25C）  
- 大于 25C 每摄氏度减少  
单脉冲雪崩能量（注 1）  
体二极管（注 2）  
1.06  
W/C  
mJ  
EAS  
dv/dt  
dv/dt  
TJ  
323  
4.5  
V/ns  
V/ns  
C  
MOS 管 dv/dt 耐用性（注 3）  
工作结温范围  
50  
-55～+150  
-55～+150  
贮存温度范围  
Tstg  
C  
热阻特性  
参数值  
参数  
符号  
单位  
SVF6N80D/MJ  
0.95  
SVF6N80K  
0.91  
芯片对管壳热阻  
RθJC  
RθJA  
C/W  
C/W  
芯片对环境的热阻  
62.0  
62.5  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号：1.3  
共 9 页 第 2 页  
http: //www.silan.com.cn  
1234567...9

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