Datasheet > SVF6N80MJ

SVF6N80MJ

更新时间： 2024-04-09 19:02:53

品牌	Logo	应用领域
士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
9页	344K
描述
TO-251J-3L

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SVF6N80MJ 数据手册

士兰微电子

SVF6N80D(K)说明书

电气参数(除非特殊说明，T_j=25C)

参数

符号

BV_DSS

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)

R_DS(on)

R_g

测试条件

V_GS=0V，I_D=250µA

V_DS=800V，V_GS=0V

V_GS=±30V，V_DS=0V

V_GS= V_DS，I_D=250µA

V_GS=10V，I_D=3.0A

f=1.0MHz

最小值

典型值

最大值

单位

漏源击穿电压

漏源漏电流

栅源漏电流

栅极开启电压

导通电阻

800

1.0

±100

4.0

2.7

µA

2.0

4.8

677



栅极电阻



输入电容

C_iss

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r

输出电容

V_DS=25V，V_GS=0V，f=1.0MHz

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

栅极电荷量

4.0

V_DD=400V，I_D=6.0A， R_G=25

(注 3，4)

t_d(off)

t_f

Q_g

V_DS=640V，I_D=6.0A， V_GS=10V

(注 3，4)

栅极-源极电荷量

栅极-漏极电荷量

Q_gs

4.3

6.8

Q_gd

源-漏二极管特性参数

参数

源极电流

符号

I_S

测试条件

最小值

典型值

最大值

6.0

单位

MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N

结

源极脉冲电流

源-漏二极管压降

反向恢复时间

反向恢复电荷

I_SM

V_SD

T_rr

I_S=6.0A，V_GS=0V

I_S=6.0A，V_GS=0V，

1.4

549

3.0

µC

dI_F/dt=100A/µs

(注 4)

Q_rr

注：

L=30mH，I_AS=4.5A，V_DD=60V，R_G=25，开始温度T_J=25C；

V_DS=0~400V，I_SD<=6.0A，T_J=25C；

V_DS=0~480V；

脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；

基本上不受工作温度的影响。

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.3

共 9 页第 3 页

http: //www.silan.com.cn

1 234 5 6 7...9

下载PDF

与SVF6N80MJ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SVF740CT	SILAN	TO-220-3L	获取价格
SVF7N60CF	SILAN	TO-220F-3L	获取价格
SVF7N65CFJH	SILAN	TO-220FJH-3L	获取价格
SVF7N65CK	SILAN	TO-262-3L	获取价格
SVF7N65CMJ	SILAN	TO-251J-3L	获取价格
SVF7N65F	SILAN	N-channel transistor	获取价格