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SVF7N80F

更新时间： 2024-03-03 10:10:34

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士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
11页	392K
描述
TO-220F-3L

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SVF7N80F 数据手册

士兰微电子

SVF7N80T/F/KL/K/FD 说明书

7A、800V N沟道增强型场效应管

描述

SVF7N80T/F/KL/K/FD N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体

管采用士兰微电子 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的

工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性

能及很高的雪崩击穿耐量.

TO-220F-3L

1.栅极 2.漏极 3.源极

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高

压 H 桥 PWM 马达驱动.

TO-262-3L

特点

TO-220-3L



7A，800V，R_DS(on)(_典型值=1.39@V_GS=10V

)

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

TO-262L-3L

TO-220FD-3L

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

SVF7N80T

封装形式

TO-220-3L

TO-220F-3L

TO-262L-3L

TO-262-3L

TO-220FD-3L

打印名称

环保等级

无铅

包装方式

料管

SVF7N80T

SVF7N80F

SVF7N80KL

SVF7N80K

SVF7N80FD

SVF7N80F

无铅

料管

SVF7N80KL

SVF7N80K

SVF7N80FD

无铅

料管

无铅

料管

无铅

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：2.8

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