士兰微电子
SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T 说明书
7A、600V N沟道增强型场效应管
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描述
SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶
体管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进
的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及
很高的雪崩击穿耐量。
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1
3
TO-251J-3L
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1.栅极 2.漏极 3.源极
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压
H 桥 PWM 马达驱动。
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TO-263-2L
3
特点
TO-220F-3L
7A,600V,RDS(on)(典型值 =0.96@VGS=10V
)
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低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
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TO-252-2L
TO-262-3L
提升了 dv/dt 能力
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TO-220-3L
产品规格分类
产品名称
SVF7N60CF
SVF7N60CS
SVF7N60CSTR
SVF7N60CK
SVF7N60CMJ
SVF7N60CD
SVF7N60CDTR
SVF7N60CT
封装形式
打印名称
环保等级
无卤
包装方式
料管
TO-220F-3L
TO-263-2L
TO-263-2L
TO-262-3L
TO-251J-3L
TO-252-2L
TO-252-2L
TO-220-3L
SVF7N60CF
SVF7N60CS
SVF7N60CS
SVF7N60CK
SVF7N60C
SVF7N60C
SVF7N60C
SVF7N60CT
无卤
料管
无卤
编带
无卤
料管
无卤
料管
无卤
料管
无卤
编带
无铅
料管
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.8
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