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SVF8N65RD

更新时间： 2024-03-03 10:10:19

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士兰微 - SILAN		/
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7页	384K
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TO-252-2L

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SVF8N65RD 数据手册

士兰微电子

SVF8N65RD(MJ)说明书

8A、650V N沟道增强型场效应管

描述

SVF8N65RD(MJ) N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用

士兰微电子 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元

胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩

击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压

H 桥 PWM 马达驱动。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



8A，650V，R_DS(on)(_典型值=1.2@V_GS=10V

)

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

TO-252-2L

TO-251J-3L

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

SVF8N65RMJ

SVF8N65RDTR

封装形式

打印名称

8N65RMJ

8N65RD

环保等级

无卤

包装方式

料管

TO-251J-3L

TO-252-2L

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 7 页第 1 页

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