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SVF7N65CFJH

更新时间： 2024-03-03 10:09:39

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士兰微 - SILAN		/
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TO-220FJH-3L

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SVF7N65CFJH 数据手册

士兰微电子

SVF7N65CFJH 说明书

7A、650V N沟道增强型场效应管

描述

SVF7N65CFJH N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士

兰微电子 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞

结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击

穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压

H 桥 PWM 马达驱动。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



7A，650V，R_DS(on)(_典型值=1.1@V_GS=10V

)

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

TO-220FJH-3L

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVF7N65CFJH

TO-220FJH-3L

7N65CFJH

无卤

料管

极限参数(除非特殊说明，T_A=25C)

参数

符号

参数值

单位

漏源电压

栅源电压

V_DS

V_GS

650

±30

7.0

T_C= 25C

漏极电流

I_D

4.4

T_C= 100C

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

耗散功率（T_C=25C）

-大于 25C 每摄氏度减少

单脉冲雪崩能量（注 1）

0.37

W/C

C

E_AS

T_J

435

工作结温范围

贮存温度范围

-55～+150

T_stg

C

热阻特性

参数

符号

R_θJC

R_θJA

参数值

2.7

单位

C/W

芯片对管壳热阻

芯片对环境的热阻

62.5

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.2

共 7 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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