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SVF8N70F

更新时间： 2024-03-03 10:07:49

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士兰微 - SILAN		/
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TO-220F-3L

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SVF8N70F 数据手册

士兰微电子

SVF8N70F/K/FJ 说明书

8A、700V N沟道增强型场效应管

描述

SVF8N70F/K/FJ N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用

士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及

元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪

崩击穿耐量。

1.栅极 2.漏极 3.源极

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压

H 桥 PWM 马达驱动。

特点

TO-220FJ-3L



8A，700V，R_DS(on)(_典型值=0.95@V_GS=10V

)

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

TO-262-3L

TO-220F-3L

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

SVF8N70F

封装形式

打印名称

SVF8N70F

SVF8N70K

SVF8N70FJ

环保等级

无铅

包装方式

料管

TO-220F-3L

TO-262-3L

TO-220FJ-3L

SVF8N70K

无铅

料管

SVF8N70FJ

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：2.2

共 10 页第 1 页

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