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SUM80UFTX

更新时间： 2024-11-16 19:10:51

品牌	Logo	应用领域
SSDI		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	115K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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SUM80UFTX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC SEALED PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.66	其他特性：	METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	E-XALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.4 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ELLIPTICAL
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.07 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

SUM80UFTX 数据手册

SUM60UF thru SUM100UF

and

SUM60UFSMS thru SUM100UFSMS

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

Designer’s Data Sheet

Part Number/Ordering Information ^1/

500 mA

ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER

6,000 thru 10,000 VOLTS

70 nsec

SUM __ __ __

│

└

│

└

└ Screening ^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

FEATURES:

PIV to 10,000 Volts



Package Type

__ = Axial Leaded

SMS = Surface Mount Square Tab

Hermetically sealed axial and square tab surface

mount package



Ultra fast recovery 70 nsec maximum ^4/

Void free construction

Voltage/Family

60UF = 6,000V

70UF = 7,000V

80UF = 8,000V

90UF = 9,000V

100UF = 10,000V

Metallurgically bonded

175°C maximum operating temperature

TX, TXV, and S-level screening available^2/



Also available in fast versions, consult factory

MAXIMUM RATINGS ^3/

RATING

SYMBOL VALUE

UNIT

SUM60UF and SUM60UFSMS

SUM70UF and SUM70UFSMS

SUM80UF and SUM80UFSMS

SUM90UF and SUM90UFSMS

SUM100UF and SUM100UFSMS

6000

7000

8000

9000

Peak Inverse Voltage

PIV

Volts

10000

Axial @ L = 3/8”

T_L≤ 75°C

T_L≤ 115°C

Surface Mount

T_EC≤ 125°C

Average Rectified Current

Surge Current (1 Cycle)

I_O1

I_O2

500

250

_EC≤ 140°C

I_FSM

Amps

°C

Operating & Storage Temperature ^5/

Typical Thermal Impedance

T_Jand T_STG

-65 to +175

Junction to Lead for Axial, L =.375"

Junction to End Tab for Surface Mount

R_θJL

R_θJE

°C/W

NOTES:

1/ For ordering information, price, operating curves, and availability- contact factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request.

3/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics @25ºC.

SMS

Axial Leaded

4/ I_F= 500mA, I_R= 1A, I_RR= 250mA, T_A= 25°C

5/ Maximum lead/end temperature for soldering is 250°C, 3/8” from the case for 5 sec. maximum.

6/ Operating and testing over 10,000 V/inch may require encapsulation or immersion in suitable

dielectric material.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RC0039F

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SUM80UFTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SUM85N02-05P	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 85 A, 20 V, 0.0083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN,
SUM85N02-05P-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 85 A, 20 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, LEAD FREE, TO-26
SUM85N03-06P	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUM85N03-06P_07	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) 175Celsius MOSFET
SUM85N03-06P-E3	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUM85N03-07P	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUM85N03-07P-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUM85N03-08P	VISHAY	获取价格	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SUM85N03-08P-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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