5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SUM85N02-05P-E3
SUM85N02-05P-E3 PDF预览

SUM85N02-05P-E3

更新时间： 2024-11-16 19:46:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 67K
描述
TRANSISTOR 85 A, 20 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, LEAD FREE, TO-263, 3 PIN, FET General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

SUM85N02-05P-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.69外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：85 A最大漏极电流 (ID)：85 A
最大漏源导通电阻：0.005 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：107 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SUM85N02-05P-E3 数据手册

 浏览型号SUM85N02-05P-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SUM85N02-05P-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SUM85N02-05P-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SUM85N02-05P-E3的Datasheet PDF文件第5页 
SUM85N02-05P  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20-V (D-S) 175_C MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
D 175_C Junction Temperature  
D Optimized for Low-Side Synchronous Rectifier  
D 100% Rg Tested  
PRODUCT SUMMARY  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)a  
0.005 @ V = 10 V  
85  
85  
GS  
20  
APPLICATIONS  
0.0083 @ V = 4.5 V  
GS  
D Synchronous Buck DC/DC Conversion  
− Desktop  
− Server  
D
TO-263  
G
DRAIN connected to TAB  
G
D S  
Top View  
S
Ordering Information: SUM85N02-05P  
SUM85N02-05P-E3 (Lead Free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DS  
V
GS  
V
A
"20  
a
T
= 25_C  
= 100_C  
85  
C
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
T
77  
C
Pulsed Drain Current  
I
160  
DM  
c
T
= 25_C  
= 25_C  
107  
C
b
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
3.75  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to 175  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
d
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
PCB Mount (TO-263)  
R
40  
thJA  
thJC  
_
C/W  
R
1.4  
Notes  
a. Package limited.  
b. Duty cycle v 1%.  
c. See SOA curve for voltage derating.  
d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).  
Document Number: 72101  
S-32523—Rev. B, 08-Dec-03  
www.vishay.com  
1
12345

中文翻译

下载PDF

与SUM85N02-05P-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SUM85N03-06P VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUM85N03-06P_07 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) 175Celsius MOSFET
SUM85N03-06P-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUM85N03-07P VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUM85N03-07P-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUM85N03-08P VISHAY

获取价格

 		N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SUM85N03-08P-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SUM85N15-19 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET
SUM85N15-19-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 85 A, 150 V, 0.019 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN,
SUM865070 CELDUC

获取价格

 		Power Solid State Contactor

与SUM85N02-05P-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证