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SUM85N03-06P

更新时间： 2024-11-25 06:14:55

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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6页	90K
描述
N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

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SUM85N03-06P 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	,	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.23
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	85 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SUM85N03-06P 数据手册

SUM85N03-06P

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

D 175_C Junction Temperature

D PWM Optimized for High Efficiency

D New Package with Low Thermal Resistance

D 100% R_gTested

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.006 @ V = 10 V

0.009 @ V = 4.5 V

APPLICATIONS

D Buck Converter

− High Side

− Low Side

TO-263

D Synchronous Rectifier

− Secondary Rectifier

D S

Top View

N-Channel MOSFET

Ordering Information: SUM85N03-06P

SUM85N03-06P-E3 (Lead Free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

= 100_C

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

200

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

101

= 25_C

100

Maximum Power Dissipation

= 25_C

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

PCB Mount

62.5

1.5

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

thJA

thJC

Free Air

_C/W

Notes

a. Duty cycle v 1%.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 71903

S-32523—Rev. B, 08-Dec-03

www.vishay.com

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