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STT2622

更新时间： 2024-02-07 11:28:04

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描述
N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

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STT2622 数据手册

STT2622

520mA, 50V,RDS(ON) 1.8

Elektronische Bauelemente

N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

Description

The STT2622 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest

possible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device.

The SOT-26 is universally used for all commercial-industrial applications.

Features

* RoHS Compliant

* Low Gate Charge

* Surface Mount Package

Millimeter

Min. Max.

1.10 MAX.

Millimeter

Min. Max.

0.45 REF.

0.60 REF.

REF.

ꢀ

2 6 2 2

0.70

0.10

1.00

Date Code

0°

0.30

10°

0.50

0.12 REF.

2.70

2.60

1.40

3.10

3.00

1.80

0.95 REF.

1.90 REF.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

VDS

Ratings

Unit

Drain-Source Voltage

VGS

±20

520

410

1.5

Gate-Source Voltage

^oC

Continuous Drain Current³,VGS@10V

Pulsed Drain Current¹

ID@TA=25

ID@TA=70^oC

IDM

Total Power Dissipation

PD@TA=25

^oC

0.8

0.006

W/^oC

^oC

Linear Derating Factor

-55~+150

Tj, Tstg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Data

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

^oC /W

Thermal Resistance Junction-ambient³(Max)

Rthj-a

150

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jun-2002 Rev. A

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