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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STS1C1S250
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STS1C1S250

更新时间： 2024-09-29 21:53:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 449K
描述
N-CHANNEL 250V - 0.9Ohm - 0.75A SO-8 P-CHANNEL 250V - 2.1Ohm - 0.6A SO-8 MESH OVERLAY POWER MOSFET

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STS1C1S250 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.6 A
最大漏极电流 (ID)：0.75 A最大漏源导通电阻：1.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：3 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STS1C1S250 数据手册

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STS1C1S250  
N-CHANNEL 250V - 0.9Ω - 0.75A SO-8  
P-CHANNEL 250V - 2.1Ω - 0.6A SO-8  
MESH OVERLAY POWER MOSFET  
TYPE  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
STS1C1S250(N-Channel)  
STS1C1S250(P-Channel)  
250 V  
250 V  
<1.4Ω 0.80 A  
<2.8Ω 0.60 A  
■
■
■
■
TYPICAL R  
TYPICAL R  
GATE-SOURCE ZENER DIODE  
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY  
(N-Channel) = 0.9 Ω  
(P-Channel) = 2.1 Ω  
DS(on)  
DS(on)  
SO-8  
DESCRIPTION  
This complementary pair uses the Company's pro-  
prietary high voltage MESH OVERLAY™ process  
based on advanced strip layout and efficient edge  
termination. Designed for high volume manufactur-  
ing capability, it is ideal in lighting converters such as  
CFL supplied from 120V mains.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
LIGHTING  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
N-CHANNEL  
250  
P-CHANNEL  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
250  
250  
V
V
V
A
A
A
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
250  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
±25  
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
0.75  
0.47  
3
0.60  
0.38  
2.4  
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
D
C
I
(1)  
Drain Current (pulsed)  
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C Single Operation  
1.6  
2
C
W
Total Dissipation at T = 25°C Dual Operation  
C
T
Storage Temperature  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1)Pulse width limited by safe operating area  
October 2003  
1/10  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STS1DN45K3 STMICROELECTRONICS

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 		0.5A, 450V, 3.8ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8
STS1DNC45 STMICROELECTRONICS

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 		DUAL N-CHANNEL 450V - 4.1ohm - 0.4A SO-8 Supe
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 		Telecomm/Datacomm
STS1HNC60 STMICROELECTRONICS

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STS20NHS3LL STMICROELECTRONICS

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STS20NHS3LL_07 STMICROELECTRONICS

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 		Reliable High Temperature Operation

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