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STPS16L40CT PDF预览

STPS16L40CT

更新时间： 2024-11-18 22:53:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 69K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS16L40CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.22Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.5 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：180 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS16L40CT 数据手册

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®
STPS16L40CT  
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCTS CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 8 A  
40 V  
A1  
A2  
K
Tj (max)  
VF (max)  
150 °C  
0.45 V  
FEATURES AND BENEFITS  
LOW FORWARD VOLTAGE DROP FOR LESS  
POWER DISSIPATION  
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES ALLOWING  
HIGH FREQUENCY OPERATION  
AVALANCHE RATED  
A2  
K
A1  
DESCRIPTION  
Dual center tap Schottky barrier rectifier designed  
for high frequency Switched Mode Power Supplies  
and high frequency DC to DC converters.  
TO-220AB  
Packaged in TO-220AB this device is intended for  
use in low voltage, high frequency converters,  
free-wheeling and polarity protection applications.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
Unit  
VRRM  
40  
V
IF(RMS)  
IF(AV)  
30  
A
A
RMS forward current  
Tc = 140°C  
δ = 0.5  
8
Average forward current  
Per diode  
16  
A
Per device  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
Tstg  
180  
A
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Storage temperature range  
tp = 10 ms sinusoidal  
tp=2 µs square F=1kHz  
tp = 100 µs square  
1
2
A
A
- 65 to + 150  
150  
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage  
dV/dt  
10000  
dPtot  
dTj  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j−a)  
July 1999 - Ed : 5A  
1/4  
1234

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