STPS1L30MF

更新时间： 2024-10-01 04:10:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		整流二极管光电二极管
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描述
Low drop power Schottky rectifier in flat package

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STPS1L30MF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-222AA	包装说明：	ROHS COMPLIANT, ST MITE PACKAGE-2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.31
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.34 V
JEDEC-95代码：	DO-222AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

STPS1L30MF 数据手册

STPS1L30MF

Low drop power Schottky rectifier in flat package

Main product characteristics

I_F(AV)

V_RRM

1 A

30 V

T_j(max)

V_F(max)

150° C

0.39 V

STmite flat

(DO222-AA)

Features and benefits

■ Very low profile package: 0.85 mm

Description

■ Backward compatible with standard STmite

Single Schottky rectifier suited for switch mode

power supplies and high frequency DC to DC

converters.

footprint

■ Very small conduction losses

■ Negligible switching losses

■ Extremely fast switching

Packaged in STmite flat, this device is intended

for use in very low voltage, high frequency

inverters, free wheeling and polarity protection

applications. Due to the very small size of the

package this device fits battery powered

equipment (cellular, notebook, PDA’s, printers) as

well as chargers and PCMCIA cards.

■ Low forward voltage drop for higher efficiency

and extended battery life

■ Low thermal resistance

■ Avalanche capability specified

Order Code

Part number

Marking

STPS1L30MF

F1L3

Table 1.

Symbol

Absolute ratings (limiting values)

Parameter

Value

Unit

V_RRM

I_F(RMS)

I_F(AV)

I_FSM

P_ARM

T_stg

Repetitive peak reverse voltage

RMS forward voltage

Average forward current

T_c= 140° C δ = 0.5

t_p= 10 ms sinusoidal

t_p= 1 µs T_j= 25° C

Surge non repetitive forward current

Repetitive peak avalanche power

Storage temperature range

1200

-65 to + 150

150

°C

V/µs

T_j

Maximum operating junction temperature⁽¹⁾

dV/dt

Critical rate of rise of reverse voltage (rated V_R, T_j= 25° C)

10000

dPtot

dTj

---------------

-------------------------

condition to avoid thermal runaway for a diode on its own heatsink

Rth(j – a)

August 2006

Rev 1

1/7

www.st.com

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STPS1L30U	VISHAY	获取价格	Schottky Rectifier, 1.0 A
STPS1L30U	STMICROELECTRONICS	获取价格	LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER
STPS1L30U	INFINEON	获取价格	SCHOTTKY RECTIFIER
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