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STPS1L40U PDF预览

STPS1L40U

更新时间： 2024-11-22 22:53:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
7页 77K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS1L40U 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-214AA包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：0.89
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：180388Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：Schottky DiodeSamacsys Package Category：Diodes Moulded
Samacsys Footprint Name：STPS1L40USamacsys Released Date：2019-05-01 07:42:24
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.63 V
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

STPS1L40U 数据手册

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STPS1L40  
®
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
Table 1: Main Product Characteristics  
I
1 A  
F(AV)  
V
40 V  
RRM  
T (max)  
150°C  
0.42 V  
j
V (max)  
F
FEATURES AND BENEFITS  
SMA  
SMB  
■
■
■
■
■
Very small conduction losses  
Negligible switching losses  
Low forward voltage drop  
Surface mount miniature packages  
Avalanche capability specified  
(JEDEC DO-214AC)  
STPS1L40A  
(JEDEC DO-214AA)  
STPS1L40U  
DESCRIPTION  
Table 2: Order Codes  
Part Number  
Single chip Schottky rectifiers suited to Switched  
Mode Power Supplies and high frequency DC to  
DC converters.  
Marking  
GB4  
STPS1L40A  
Packaged in SMA and SMB, this device is espe-  
cially intended for surface mounting and used in  
low voltage, high frequency inverters, free wheel-  
ing and polarity protection applications.  
STPS1L40U  
GC4  
Table 3: Absolute Ratings (limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
Unit  
V
V
40  
RRM  
I
RMS forward voltage  
8
A
F(RMS)  
I
T = 130°C δ = 0.5  
Average forward current  
1
A
F(AV)  
L
I
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
tp = 10ms sinusoidal  
tp = 2µs F = 1kHz square  
tp = 100µs square  
60  
A
FSM  
I
1
1
A
RRM  
I
A
RSM  
P
tp = 1µs Tj = 25°C  
900  
W
°C  
°C  
V/µs  
ARM  
T
-65 to + 150  
150  
stg  
T
Maximum operating junction temperature *  
j
dV/dt Critical rate of rise of reverse voltage  
10000  
dPtot  
* : --------------- > ------------------------- thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj Rth(j – a)  
1
August 2004  
REV. 5  
1/7  
1234567

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