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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> STPS16L45CFP
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STPS16L45CFP

更新时间： 2024-01-29 14:10:26
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管局域网
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5页 81K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS16L45CFP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.25其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：POWER配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.45 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：180 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS16L45CFP 数据手册

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®
STPS16L45CT/CFP  
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCTS CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 8 A  
45 V  
A1  
A2  
Tj (max)  
VF (max)  
150 °C  
0.45 V  
K
FEATURES AND BENEFITS  
■
■
■
LOW FORWARD VOLTAGE DROP MEANING  
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
LOW SWITCHING LOSSES ALLOWING HIGH  
FREQUENCY OPERATION  
INSULATED PACKAGE: TO-220FPAB  
Insulated voltage: 2000V DC  
Capacitance: 12 pF  
A2  
A2  
K
K
A1  
■
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
A1  
DESCRIPTION  
TO-220AB  
STPS16L45CT  
TO-220FPAB  
STPS16L45CFP  
Dual center tap Schottky barrier rectifier designed  
for high frequency Switched Mode Power Supplies  
and high frequency DC to DC converters.  
Packaged in TO-220AB and TO-220FPAB, these  
devices are intended for use in low voltage, high  
frequency converters, free-wheeling and polarity  
protection applications.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
45  
Unit  
V
IF(RMS)  
IF(AV)  
30  
A
RMS forward current  
8
Average forward current  
Per diode  
Per device  
Per diode  
Per device  
Tc = 140°C  
A
TO-220AB  
δ = 0.5  
16  
8
Tc = 125°C  
A
TO-220FPAB  
δ = 0.5  
16  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
PARM  
Tstg  
180  
A
A
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
tp = 10 ms sinusoidal  
tp=2 µs square F=1kHz  
tp = 100 µs square  
1
2
A
Non repetitive peak reverse current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
4000  
W
tp = 1µs Tj = 25°C  
- 65 to + 150  
150  
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage  
dV/dt  
10000  
dPtot  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed : 3C  
1/5  
12345

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与STPS16L45CFP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STPS16L45CT STMICROELECTRONICS

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