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STPS1L30M PDF预览

STPS1L30M

更新时间： 2024-11-18 22:53:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
5页 49K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS1L30M 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-216AA包装说明：ST MITE PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：1.23外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.34 V
JEDEC-95代码：DO-216AAJESD-30 代码：S-PSSO-G1
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
端子数量：1最高工作温度：150 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

STPS1L30M 数据手册

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STPS1L30M  
®
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
1 A  
30 V  
Tj (max)  
VF (max)  
150°C  
0.38 V  
FEATURES AND BENEFITS  
A
■
■
■
■
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
EXTREMELY FAST SWITCHING  
C
LOW FORWARD VOLTAGE DROP FOR  
HIGHER  
BATTERY LIFE  
LOW THERMAL RESISTANCE  
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
EFFICIENCY  
&
EXTENDED  
■
■
ST Mite  
DESCRIPTION  
(DO-216AA)  
Single Schottky rectifier suited for switch mode  
power supplies and high frequency DC to DC  
converters.  
Packaged in ST Mite, this device is intended for  
use in low voltage, high frequency inverters, free  
wheeling and polarity protection applications. Due  
to the small size of the package this device fits  
battery powered equipment (cellular, notebook,  
PDA’s, printers) as well chargers and PCMCIA  
cards.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
VRRM Repetitive peak reverse voltage  
IF(RMS) RMS forward current  
30  
2
A
IF(AV)  
IFSM  
Average forward current  
Tc = 140°C δ = 0.5  
tp = 10 ms sinusoidal  
tp = 1µs Tj = 25°C  
1
A
Surge non repetitive forward current  
50  
A
PARM Repetitive peak avalanche power  
1200  
W
Tstg  
Tj  
Storage temperature range  
Maximum operating junction temperature*  
- 65 to + 150  
150  
°C  
°C  
V/µs  
dV/dt Critical rate of rise of reverse voltage (rated Vr, Tj = 25°C)  
10000  
dPtot  
dTj  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed : 2A  
1/5  
12345

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