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STPS16H100CR PDF预览

STPS16H100CR

更新时间： 2024-11-18 22:20:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管高压高电压电源
页数 文件大小 规格书
7页 113K
描述
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS16H100CR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：I2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.8
Is Samacsys：N应用：HIGH VOLTAGE POWER
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.64 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS16H100CR 数据手册

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STPS16H100CT/CG/CFP/CR  
®
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
K
IF(AV)  
VRRM  
2 x 8 A  
100 V  
K
Tj (max)  
VF (max)  
175 °C  
0.64 V  
A2  
FEATURES AND BENEFITS  
A1  
A2  
K
■
■
■
■
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
HIGH JUNCTION TEMPERATURE CAPABILITY  
LOW LEAKAGE CURRENT  
GOOD TRADE OFF BETWEEN LEAKAGE  
CURRENT AND FORWARD VOLTAGE DROP  
A1  
D2PAK  
STPS16H100CG  
TO-220AB  
STPS16H100CT  
■
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
DESCRIPTION  
A2  
K
A2  
Dual center tap Schottky rectifier designed for  
high frequency miniature Switch Mode Power  
Supplies such as adaptators and on board  
DC/DC converters.  
K
A1  
A1  
I2PAK  
STPS16H100CR  
TO-220FPAB  
STPS16H100CFP  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
Value  
100  
30  
Unit  
Repetitive peak reverse voltage  
RMS forward current  
V
A
A
IF(RMS)  
IF(AV)  
Average forward  
current δ = 0.5  
TO-220AB  
Tc = 165°C Per diode  
8
D2PAK / I2PAK  
TO-220FPAB  
Tc = 150°C Per device  
tp = 10 ms sinusoidal  
tp = 2 µs square F = 1kHz  
tp = 100 µs square  
16  
200  
1
IFSM  
IRRM  
IRSM  
PARM  
Tstg  
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
A
A
Non repetitive peak reverse current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
2
A
tp = 1µs Tj = 25°C  
8700  
W
-65 to+175 °C  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage  
175  
°C  
dV/dt  
10000  
V/µs  
dPtot  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed: 2A  
1/7  
1234567

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