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STP7NC40

更新时间： 2024-01-17 13:18:54
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 247K
描述
N-CHANNEL 400V - 0.75ohm - 6A TO-220 PowerMESH⑩II MOSFET

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STP7NC40 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.67
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：320 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP7NC40 数据手册

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STP7NC40  
N-CHANNEL 400V - 0.75Ω - 6A TO-220  
PowerMESH™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP7NC40  
400 V  
< 1 Ω  
6 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.75Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE  
3
2
1
DESCRIPTION  
TO-220  
The PowerMESH™II is the evolution of the first gen-  
eration of MESH OVERLAY™. The layout refine-  
ments introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
400  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
400  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
± 30  
V
I
D
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
6
A
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
4
24  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
100  
W
C
Derating Factor  
0.8  
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
3
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1)I ≤6A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
(●) Pulse width limited by safe operating area  
March 2001  
1/8  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP7NC70Z STMICROELECTRONICS

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