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STP80N70F6

更新时间： 2024-01-21 06:35:33

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
13页	757K
描述
N-channel 68 V, 0.0052 Ohm, 96 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package

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STP80N70F6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	43 weeks 2 days	风险等级：	5.71
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	96 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	110 W
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

STP80N70F6 数据手册

STP80N70F6

N-channel 68 V, 0.0063 Ω typ., 96 A STripFET™ VI DeepGATE™

Power MOSFET in TO-220 package

Datasheet −production data

Features

TAB

V_DSS

max.

Order code

R_DS(on)max. I_D

P_TOT

< 0.008 Ω

(V_GS= 10 V)

STP80N70F6 68 V

96 A 110 W

■ R_DS(on)* Q_gindustry benchmark

■ Extremely low on-resistance R_DS(on)

■ High avalanche ruggedness

■ Low gate drive power losses

■ Very low switching gate charge

TO-220

Applications

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ Switching applications

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Description

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using the 6^thgeneration of STripFET™

DeepGATE™ technology, with a new gate

structure. The resulting Power MOSFET exhibits

the lowest R_DS(on)in all packages.

'ꢅꢁꢈ

3ꢅꢉꢈ

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Table 1.

Order code

STP80N70F6

Device summary

Marking

Package

TO-220

Packaging

80N70F6

Tube

December 2012

Doc ID 023433 Rev 1

1/13

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...13

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