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STL11N3LLH6

更新时间： 2024-11-30 14:57:35

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
14页	682K
描述
N沟道30 V、6 mOhm典型值、11 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3封装

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STL11N3LLH6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, POWERFLAT-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	20 weeks	风险等级：	1.72
Samacsys Description：	MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.0095 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-N8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STL11N3LLH6 数据手册

STL11N3LLH6

N-channel 30 V, 6 mΩ typ., 11 A STripFET™ H6

Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package

Datasheet - production data

Features

Order code

V_DS

R_DS(on)max

I_D

STL11N3LLH6

30 V

7.5 mΩ

11 A



Very low on-resistance

Very low gate charge

High avalanche ruggedness

Low gate drive power loss

Applications



Switching applications

Description

Figure 1: Internal schematic diagram

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using the STripFET™ H6 technology

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low R_DS(on)in all

packages.

D(5, 6, 7, 8)

G(4)

S(1, 2, 3)

AM15810v1

Table 1: Device summary

Package

Order code

Marking

Packing

STL11N3LLH6

11N3L

PowerFLAT^TM3.3x3.3

Tape and reel

February 2017

DocID17755 Rev 3

1/14

www.st.com

This is information on a product in full production.

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STL11N4LLF5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 40 V, 9.1 m typ., 15 A STripFETV Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package
STL11N65M5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道650 V、0.475 Ohm典型值、8.5 A MDmesh M5功率MOSFET
STL-1204-G05MC	SICK	获取价格	Plug Connector
STL-1204-G10MC	SICK	获取价格	Plug Connector
STL-1204-G15MC	SICK	获取价格	Plug Connector
STL-1204-W02ME90	SICK	获取价格	Plug connector cable
STL-1204-W02MZ90	SICK	获取价格	Plug Connector
STL-1204-W05ME90	SICK	获取价格	Plug connector cable
STL-1204-W10ME90	SICK	获取价格	Plug connector cable
STL-1204-W10MZ90	SICK	获取价格	Plug Connector