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STL120NH02V

更新时间： 2024-11-27 03:30:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 240K
描述
N-channel 20V - 0.0025ohm - 120A - PowerFLAT(6x5) STripFETIII Power MOSFET

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STL120NH02V 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：6 X 5 MM, POWERFLAT-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83Is Samacsys：N
其他特性：LOW THRESHOLD外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A最大漏极电流 (ID)：28 A
最大漏源导通电阻：0.004 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-N5JESD-609代码：e3/e4
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STL120NH02V 数据手册

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STL120NH02V  
N-channel 20V - 0.0025Ω - 120A - PowerFLAT™ (6x5)  
STripFET™ III Power MOSFET  
Target Specification  
General features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STL120NH02V  
20V  
<0.003Ω  
28A(1)  
1. Value limited by wire bonding  
■ Improved die-to-footprint ratio  
■ Very low profile package (1mm max)  
■ Very low thermal resistance  
■ Conduction losses reduced  
■ 2.5V gate drive  
(Chip scale package)  
■ Switching losses reduced  
■ Very low threshold device  
Internal schematic diagram  
Description  
The STL120NH02V utilizes the latest advanced  
design rules of ST’s proprietary STripFET™  
Technology. Thanks to a very low threshold, it is  
ideal for Synchronous Buck Converter in point of  
load brick module. The Chip-scaled  
PowerFLAT™ package allows a significant board  
space saving, still boosting the performance.  
Applications  
■ Switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STL120NH02V  
L120NH02V  
PowerFLATTM (6x5)  
Tape & reel  
September 2006  
Rev 2  
1/10  
This is preliminary information on a new product foreseen to be developed. Details are subject to change without notice.  
www.st.com  
10  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STL125N8F7AG STMICROELECTRONICS

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 		Automotive-grade N-channel 80 V STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STL128D STMICROELECTRONICS

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 		Low spread of dynamic parameters
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 		High voltage fast-switching NPN power transistor
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 		POWER, FET
STL12N60M2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、0.400 Ohm典型值、6.5 A MDmesh M2功率MOSFET
STL12N60M6 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、390 mOhm典型值、6.4 A MDmesh M6功率MOSFET，
STL12P6F6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packag

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