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STK11C68-5P30I

更新时间： 2024-09-18 20:15:07

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赛普拉斯 - CYPRESS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	271K
描述
8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

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STK11C68-5P30I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP28,.3
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	30 ns	其他特性：	EEPROM SOFTWARE STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/100000 CYCLES
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	32.004 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.572 mm	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STK11C68-5P35	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
STK11C68-5P35I	ETC	获取价格	NVRAM (EEPROM Based)
STK11C68-5P45	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
STK11C68-5P45I	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
STK11C68-5S25	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28
STK11C68-5S25I	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28
STK11C68-5S30	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28
STK11C68-5S30I	ETC	获取价格	NVRAM (EEPROM Based)
STK11C68-5S35	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28
STK11C68-5S35I	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28