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STK11C68-C30M

更新时间： 2024-01-10 16:26:50

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9页	570K
描述
NVRAM (EEPROM Based)

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STK11C68-C30M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP28,.3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	30 ns	其他特性：	EEPROM SOFTWARE STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	35.56 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	4.2418 mm
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.085 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
STK11C68-C35	CYPRESS	64 Kbit (8K x 8) SoftStore nvSRAM	获取价格
STK11C68-C35I	CYPRESS	64 Kbit (8K x 8) SoftStore nvSRAM	获取价格
STK11C68-C35M	ETC	NVRAM (EEPROM Based)	获取价格
STK11C68-C45	CYPRESS	Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, MO-058, DIP	获取价格
STK11C68-C45I	CYPRESS	Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, MO-058, DIP	获取价格
STK11C68-C45M	ETC	NVRAM (EEPROM Based)	获取价格