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STK11C68-C25I

更新时间: 2024-01-05 09:33:49
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10页 61K
描述
8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM

STK11C68-C25I 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP28,.3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.23最长访问时间:25 ns
其他特性:STORE/RECAL TO EEPROM SOFTWAREJESD-30 代码:R-CDIP-T28
JESD-609代码:e0长度:35.56 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.14 mm
最大待机电流:0.00075 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.09 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

STK11C68-C25I 数据手册

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STK11C68  
8K x 8 nvSRAM  
QuantumTrap™ CMOS  
Nonvolatile Static RAM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• 20ns, 25ns, 35ns and 45ns Access Times  
The Simtek STK11C68 is a fast static RAM with a  
nonvolatile, electrically erasable PROM element  
incorporated in each static memory cell. The SRAM  
can be read and written an unlimited number of  
times, while independent nonvolatile data resides in  
the EEPROM. Data transfers from the SRAM to the  
EEPROM (the STORE operation), or from EEPROM to  
SRAM (the RECALL operation), take place using a  
software sequence. Transfers from the EEPROM to  
the SRAM (the RECALL operation) also take place  
automatically on restoration of power.  
STORE to EEPROM Initiated by Software  
RECALL to SRAM Initiated by Software or  
Power Restore  
• 10mA Typical ICC at 200ns Cycle Time  
• Unlimited READ, WRITE and RECALL Cycles  
• 1,000,000 STORE Cycles to EEPROM  
• 100-Year Data Retention over Full Industrial  
Temperature Range  
• Commercial and Industrial Temperatures  
• 28-Pin DIP and SOIC Packages  
The STK11C68 is pin-compatible with industry-  
standard SRAMs. MIL-STD-883 device is also  
available (STK11C68-M).  
BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATIONS  
1
NC  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
V
CC  
W
NC  
EEPROM ARRAY  
128 x 512  
2
A
12  
3
A
7
6
5
4
3
A
A
A
5
4
A
A
8
5
A
A
A
A
A
9
STORE  
6
STORE/  
RECALL  
CONTROL  
6
A
11  
7
G
A
7
STATIC RAM  
ARRAY  
8
RECALL  
2
10  
A
8
9
A
E
1
0
128 x 512  
10  
11  
12  
13  
14  
A
A
A
A
DQ  
9
7
6
5
DQ  
DQ  
DQ  
0
28 - 300 PDIP  
28 - 300 CDIP  
28 - 350 SOIC  
11  
12  
DQ  
DQ  
1
DQ  
DQ  
2
4
3
SOFTWARE  
DETECT  
A
- A  
12  
0
V
SS  
DQ  
DQ  
DQ  
0
1
2
COLUMN I/O  
PIN NAMES  
COLUMN DEC  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
A
- A  
Address Inputs  
Write Enable  
Data In/Out  
Chip Enable  
Output Enable  
Power (+ 5V)  
Ground  
3
4
0
12  
W
5
6
7
A
A A  
A A  
A
1 4  
2 3  
10  
0
G
DQ - DQ  
0
7
E
E
G
W
V
CC  
SS  
V
June 1999  
4-21  

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