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STD25NE03L-1 PDF预览

STD25NE03L-1

更新时间： 2024-02-23 03:01:17
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 93K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251AA

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STD25NE03L-1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD25NE03L-1 数据手册

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STD25NE03L  
N - CHANNEL 30V - 0.019 Ω - 25A - TO-251/TO-252  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STD25NE03L  
30 V  
< 0.025 Ω  
25 A  
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.019 Ω  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
DESCRIPTION  
1
1
This Power MOSFET is the latest developmentof  
STMicroelectronics unique ”Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalanche characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturingreproducibility.  
IPAK  
TO-251  
(Suffix ”-1”)  
DPAK  
TO-252  
(Suffix ”T4”)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS IN HIGH  
PERFORMANCE VRMs  
■
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT(INJECTION,  
ABS, AIR-BG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
30  
V
20  
V
±
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
20**  
18**  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
A
I
DM(• )  
Drain Current (pulsed)  
100  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
45  
W
Derating Factor  
0.3  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 175  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(**) Value limited only by the package  
1/9  
March 1999  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
STD25NE03LT4 STMICROELECTRONICS TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA

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