是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-252 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.18 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A | 最大漏极电流 (ID): | 20 A |
最大漏源导通电阻: | 0.03 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
STD25NF10 | STMICROELECTRONICS | N-CHANNEL 100V - 0.033ohm - 25A DPAK LOW GATE |
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STD25NF10L | STMICROELECTRONICS | N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GAT |
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STD25NF10LA | STMICROELECTRONICS | N-channel 100 V, 0.030 Ohm, 25 A, DPAK STripFET(TM) II Power MOSFET |
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STD25NF10LT4 | STMICROELECTRONICS | N-channel 100V - 0.030Ohm - 25A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET |
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STD25NF10T4 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-252AA |
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STD25NF20 | STMICROELECTRONICS | 汽车级N沟道200 V、0.10 Ohm典型值、18 A STripFET功率MOSFET |
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