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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-263 | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.46 | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 54 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSW2N60BTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| SSW2N80A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSW2N80ATM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SSW2N90A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-263AB |
|
| SSW3/2N | ETC |
获取价格 |
PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL |
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| SSW3/4N | ETC |
获取价格 |
PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL |
|
| SSW3/6N | ETC |
获取价格 |
PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL |
|
| SSW-307 | ETC |
获取价格 |
SPDT RF Reflective Switch |
|
| SSW308 | STANFORD |
获取价格 |
DC-3 GHz Low Cost GaAs MMIC SPDT Switch |
|
| SSW-308 | STANFORD |
获取价格 |
DC-3 GHz Low Cost GaAs MMIC SPDT Switch |
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