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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSW4N60A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSW4N60B | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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| SSW4N60BTM | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| SSW4N80A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-263AB |
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| SSW4N80AS | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-263AB |
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| SSW4N80ASTM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SSW4N90A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SSW4N90AS | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-263AB |
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| SSW4N90ATM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SSW-507 | ETC |
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SPST RF Absorptive Switch |
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