生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.5 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 110 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SSW5N80A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB | |
SSW5N80ATM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
SSW5N90A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB | |
SSW60N05 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-252VAR | |
SSW60N06 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-252VAR | |
SSW6N70A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-263AB | |
SSW7N60 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
SSW7N60A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-263AB | |
SSW7N60ATM | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
SSW7N60B | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |