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SST25VF512A-33-4I-QAE

更新时间： 2024-11-19 20:27:07
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 286K
描述
512K X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 5 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, WSON-8

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SST25VF512A-33-4I-QAE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SON
包装说明：HVSON, SOLCC8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：17 weeks
风险等级：1.43Is Samacsys：N
最大时钟频率 (fCLK)：33 MHz耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-N8JESD-609代码：e3
长度：6 mm内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：1
功能数量：1端子数量：8
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX1
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVSON
封装等效代码：SOLCC8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.8 mm串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.000015 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NOR TYPE宽度：5 mm
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

SST25VF512A-33-4I-QAE 数据手册

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512 Kbit SPI Serial Flash  
SST25VF512A  
A Microchip Technology Company  
Data Sheet  
SST’s serial flash family features a four-wire, SPI-compatible interface that allows  
for a low pin-count package occupying less board space and ultimately lowering  
total system costs. SST25VF512A SPI serial flash memory is manufactured with  
SST’s proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-  
gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and man-  
ufacturability compared with alternate approaches.  
Features  
• Single 2.7-3.6V Read and Write Operations  
• End-of-Write Detection  
– Software Status  
• Serial Interface Architecture  
• Hold Pin (HOLD#)  
– SPI Compatible: Mode 0 and Mode 3  
– Suspends a serial sequence to the memory  
• 33 MHz Max Clock Frequency  
• Superior Reliability  
without deselecting the device  
• Write Protection (WP#)  
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)  
– Greater than 100 years Data Retention  
– Enables/Disables the Lock-Down function of the status  
register  
• Low Power Consumption:  
• Software Write Protection  
– Active Read Current: 7 mA (typical)  
– Standby Current: 8 µA (typical)  
– Write protection through Block-Protection bits in status  
register  
• Flexible Erase Capability  
• Temperature Range  
– Uniform 4 KByte sectors  
– Uniform 32 KByte overlay blocks  
– Commercial: 0°C to +70°C  
– Industrial: -40°C to +85°C  
– Extended: -20°C to +85°C  
• Fast Erase and Byte-Program:  
• Packages Available  
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)  
– Sector- or Block-Erase Time: 18 ms (typical)  
– Byte-Program Time: 14 µs (typical)  
– 8-lead SOIC 150 mil body width  
– 8-contact WSON (5mm x 6mm)  
• Auto Address Increment (AAI) Programming  
• All non-Pb (lead-free) devices are RoHS compliant  
– Decrease total chip programming time over Byte-Pro-  
gram operations  
www.microchip.com  
©2011 Silicon Storage Technology, Inc.  
DS25090A  
10/11  
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SST25VF512A-33-4I-QAE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SST25VF512A-33-4I-QAE-T MICROCHIP

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SST25VF512A-33-4I-QAE-T MICROCHIP

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 		SST25VF512A-33-4I-QAE-T
SST25VF512A-33-4I-SA SILICON

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 		EEPROM, 512KX1, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, MS-012AA, SOIC-8
SST25VF512A-33-4I-SAE SST

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 		512 Kbit SPI Serial Flash
SST25VF512A-33-4I-SAE-T MICROCHIP

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 		SST25VF512A-33-4I-SAE-T
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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash
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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF010-40-5I-SAF SST

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 		512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF010-40-5I-SAF-T MICROCHIP

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 		IC,SERIAL EEPROM,NOR FLASH,128KX8,CMOS,SOP,8PIN,PLASTIC

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