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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSS4N90AS | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-220F |
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| SSS500ML | ETC |
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SIEB-U.SCHABLONEN-REIN.SSS500ML |
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| SSS50N05 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSS50N05L | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 50V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSS50N06 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSS50N06L | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| S-SS510B | LEIDITECH |
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Schottky diode for automotive applications |
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| SSS510F | MDD |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| S-SS515B | LEIDITECH |
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Schottky diode for automotive applications |
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| S-SS520B | LEIDITECH |
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Schottky diode for automotive applications |
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