SSS5N60A

更新时间： 2024-09-25 03:30:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管
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7页	386K
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Advanced Power MOSFET

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SSS5N60A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.9
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	37 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SSS5N60A 数据手册

SSS5N60A

Advanced Power MOSFET

FEATURES

BV_DSS= 600 V

R_DS(on)= 2.2Ω

I_D= 2.6 A

! Logic Level Gate Drive

! Avalanche Rugged Technology

! Rugged Gate Oxide Technology

! Lower Input Capacitance

! Improved Gate Charge

TO-220F

! Extended Safe Operating Area

! Lower Leakage Current : 25 μA (Max.) @ V_DS= 600V

! Lower R_DS(ON): 1.81Ω (Typ.)

1.Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Drain-to-Source Voltage

Value

600

2.6

Units

V_DSS

Continuous Drain Current (T_C=25℃)

Continuous Drain Current (T_C=100℃)

Drain Current-Pulsed

I_D

1.65

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

①

Gate-to-Source Voltage

±30

331

2.6

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

②

①

③

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Total Power Dissipation (T_C=25℃)

Linear Derating Factor

3.7

V/ns

3.0

P_D

T_J, T_STG

T_L

0.30

W/℃

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

℃

Purposes, 1/8＂ from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

Characteristic

Typ.

Max.

Units

R_θJC

Junction-to-Case

3.36

62.5

℃/W

R_θJA

Junction-to-Ambient

Rev. A

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SSS5N80	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 800V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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