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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 550 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSS6N60 | SAMSUNG |
获取价格 |
N CHANNEL POWER MOSFETS |
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| SSS6N70A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSS6N80A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220F |
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| SSS6N90A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSS70N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSS70N10A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSS741CJ | ROCHESTER |
获取价格 |
Operational Amplifier, 1 Func, 4000uV Offset-Max, MBCY8, METAL CAN-8 |
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| SSS741CJ | ADI |
获取价格 |
IC OP-AMP, 6000 uV OFFSET-MAX, MBCY8, METAL, CAN-8, Operational Amplifier |
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| SSS7N55 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| SSS7N60 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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